英特尔Intel和美国美光Micron宣布“革命者”神秘内存
摘要: 本周，Intel和Micron公司宣布一种新型非易失内存3D XPoint（“交叉点”），它比快闪内存NAND Flash快1000倍，比动态随机存取存储器DRAM密集10倍。但它究竟是什么？Good luck试着把它说清楚。加利福尼亚州Los Gatos客观分析公司的内存分析师Jim Handy说，“他们说的很含糊”。
| 本周，Intel和Micron公司宣布一种新型非易失内存3D XPoint（“交叉点”），它比快闪内存NAND Flash快1000倍，比动态随机存取存储器DRAM密集10倍。但它究竟是什么？Good luck试着把它说清楚。 加利福尼亚州Los Gatos客观分析公司的内存分析师Jim Handy说，“他们说的很含糊”。 一则在Intel网站的新闻把它描述为“从1989年引入NAND flash之后的第一个新型内存分类”。但是许多公司不会同意这种特征描述。在相位变化内存上已经做了大量的工作，其他公司正在艰难的推进电阻式RAM。位于亚利桑那州的飞思卡尔半导体公司Everspin Technologies已经安装了多年的MRAM。 然而，Intel和Micron是半导体行业中的龙头企业。无论3D Xpoint技术多么独特，他们的支持者将会从头到尾开始替换内存。 工程师一直希望可以用快速的、密集的、廉价的、高稳健性和低功率的内存，取代现在用的混合存储器。ExtremeTech公司的Joel Hruska很好的解释了如何将3D Xpoint和已有的、基于现有有效信息的内存进行比较（他注意到声称快1000倍的闪存这个说法可能不太准确，但是可以将新型内存和DRAM进行粗略的比较）。 在周二的新闻发布会上曾短暂提过“电阻元件”，但在可替代的内存技术中电阻变化是很普遍的--这就是所谓的0和1的区别。基于淘汰过程和其他提示，一些新闻小报在打赌，3D Xpoint使用电压改变某种物质的阻力，是电阻RAM的一种形式。 Intel和Micron宣布他们计划在2016年开始安装这种内存，到时我们可能可以找到更多的信息（他们的客户可能抢先找到）。即使这些公司自己不发布任何消息，Handy说，“一旦他们开始发布芯片，通过逆向工程分解芯片，每个人都会知道具体情况”。 另一个大的问题是3D Xpoint如何在现有的内存和存储技术环境中工作。Handy说Intel推荐在它的新服务平台使用它，今年早些时候泄露的细节中提到可替换的内存。Micron说展望一下在计算和存储中使用的内存。 |
