连续提拉法的发展和FEMAG数值仿真技术

2015年3月15日，在中国国际半导体技术大会的Si Materials and Photovoltaic Technology（硅材料和光伏技术）分会场内，上海大学材料学院吴亮教授的报告CCZ Process（连续提拉法晶体生长）引起了广泛的关注和热议。

吴教授向各位与会者介绍了CCZ的发展历程以及近几年CCZ工艺所取得的突破。连续提拉法晶体生长是一项复杂而具有市场潜力的技术，传统的提拉法晶体生长，由于坩埚溶液液面下降，导致坩埚内壁裸露，由于坩埚内壁的温度很高，因而对晶体、熔体中的温度场影响很大；而连续提拉法晶体生长能够很好的解决这一问题。同时，相比于传统的提拉法，CCZ的连续加料技术将有效的降低生产单晶硅晶圆的成本。

       工业使用者梦想通过CCZ晶体生长法得到超高电阻率的硅片，高电阻率或者超高电阻率的硅晶圆，在晶圆厚度方向电阻率具有良好的均匀性，同时沿轴向和径向的电阻率梯度也具有一定均匀性，且在整个器件加工时具备稳定性。

       然而，晶体生长技术推向工业生产之前都会进行无数次的设计测试和实验，为此付出的成本是无法估量的。吴教授的团队，采用晶体生长仿真软件FEMAG的CCZ数值模拟技术，根据指定的工艺条件、掺杂数量和掺杂种类，成功的模拟了CCZ晶体生长的热场、流场和掺杂的分布情况。